日本亚速旺 ASONE 2-960-01 研究用高纯度硅晶片 研究用高純度シリコンウェハー WAFER

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.规格：
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● 制造方法：CZ法
● 平面方位：100
● OF位置：110
● 电阻值：0.1～100Ω・cm　※低电阻：≦0.02Ω・cm、高电阻：≧500Ω・cm
● 粒子：2-960-01～08／不论粒子、 2-960-51～62／≧0.3um、10个以下
编号 尺寸（英寸）×传导类型 OF长（mm）×晶片厚度（um） 数量 RMB(含税) 北京库存 上海库存 日本库存 参考货期 选购数量
2-960-01 2×P型 17.5±2.5×280±25 1片 490.00 0 0 53
2-960-02 2×N型 17.5±2.5×280±25 1片 490.00 0 0 53
2-960-03 3×P型 22.5±2.5×380±25 1片 480.00 0 0 23
2-960-04 3×N型 22.5±2.5×380±25 1片 480.00 0 0 21
2-960-05 4×P型 32.5±2.5×525±25 1片 490.00 0 0 0 另询
2-960-07 4×P型（低电阻） 32.5±2.5×525±25 1片 570.00 0 0 0 18天左右
2-960-08 4×P型（高电阻） 32.5±2.5×525±25 1片 620.00 0 0 10
2-960-06 4×N型 32.5±2.5×525±25 1片 500.00 0 0 25

※日本在库的情况下，从日本寄送大概需要18天左右
※专门订购品：●可进行方位（裁切角度）、OF位置角度公差、厚度公差更小的高精度加工，通过蚀刻进行准确的沟槽形成。●可进行多样化的形状加工和表面处理（例：锪孔加工、穿孔加工、氧化膜包衣晶片）。●可根据所希望的电阻率、晶片厚度进行对应。

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